IBM серпіліс жасады: 0,7 нм транзисторлы чип технологиясы — жартылай өткізгіш индустриясының жаңа белесі
IBM кезекті технологиялық серпіліс жасап, 7 ангстрем (0,7 нанометр) деңгейіндегі транзистор архитектурасын жариялады. «Наностек» деп аталатын бұл инновация транзисторларды орналастыру тәсілін түбегейлі өзгертеді: дәстүрлі жазық орналасудың орнына олар бірнеше қабатқа жиналады.
Мұндай тік тәсіл бұрын-соңды болмаған мүмкіндіктер ашады. Менің бағалауымша, тырнақ өлшеміндегі кристалда транзисторлардың орналасу тығыздығы 100 миллиард бірлікке жетуі мүмкін. Бұл жай ғана сан емес — бұл жартылай өткізгіштер физикасындағы іргелі өзгеріс.
2021 жылғы 2-нм техпроцессімен салыстыру таңғалдырады: өнімділік 50%-ға, ал энергия тиімділігі 70%-ға артады. Нарық үшін бұл болашақ чиптердің жылдамырақ жұмыс істей алатынын және айтарлықтай аз энергия тұтынатынын білдіреді, бұл мобильді құрылғылар, серверлер және жасанды интеллект жүйелері үшін өте маңызды.
Дегенмен, технологияны коммерцияландыру уақытты қажет етеді. Сериялық өндіріс бес жыл ішінде басталады деп күтілуде. Бұл күрделі инновациялар үшін стандартты цикл, бірақ ол Мур заңының жаңа формада болса да, әрекет етуін жалғастыратынын растайды.
Менің кәсіби пікірім: Көпқабатты архитектураға көшу — бұл кремний технологияларының өмірін тағы онжылдыққа ұзарта алатын эволюциялық қадам. Дегенмен, негізгі міндет өзгеріссіз қалады: мұндай чиптерді жаппай өндірудің экономикалық орындылығы. Егер IBM бұл мәселені шеше алса, біз есептеу қуатының жаңа дәуіріне куә боламыз.