IBM 0,7 нм транзисторлары бар чип технологиясын жариялады — наносаладағы серпіліс
IBM корпорациясы 0,7 нанометрлік транзистор архитектурасы бар жартылай өткізгіш чиптерді өндіруге арналған инновациялық технологияны ұсынды, бұл 7 ангстремге тең. Бұл қадам есептеу компоненттерін миниатюризациялаудағы кезекті белесті білдіреді, ол қазіргі өнеркәсіптік стандарттардан әлдеқайда асып түседі.
Әзірлеменің негізгі элементі — «наностек» (nanosheet) деп аталатын құрылым. Дәстүрлі жазық конфигурациялардан айырмашылығы, транзисторлар мұнда бір жазықтықта емес, бірнеше тік қабаттарда орналасады. Мұндай тәсіл кристаллдағы логикалық элементтердің орналасу тығыздығын түбегейлі арттыруға мүмкіндік береді.
IBM зерттеу бөлімшесіндегі дереккөздерімнің бағалауы бойынша, жаңа технология тырнақ өлшеміндей чипке 100 миллиардқа жуық транзисторды сыйдыра алады. Салыстыру үшін: бұл TSMC немесе Samsung сияқты бәсекелестердің қазіргі 3-нм шешімдерінің тығыздығынан екі еседен астам артық.
IBM 2021 жылы жариялаған 2-нм техпроцессінен 0,7-нм архитектурасына көшкенде, өнімділіктің 50%-ға артуы немесе энергия тиімділігінің 70%-ға жоғарылауы күтіледі — бұл әзірлеушінің басымдықтарына байланысты. Бұл болашақ процессорлардың бірдей энергия тұтыну кезінде айтарлықтай жылдам жұмыс істей алатынын немесе қазіргі өнімділікті сақтай отырып, екі есе аз энергия тұтынатынын білдіреді.
Технологияны коммерциялық енгізу, болжамдар бойынша, бес жылдан ерте басталмайды. Алайда қазірдің өзінде анық: IBM кремний литографиясының физикалық шектері әлі алыс емес екенін көрсете отырып, жартылай өткізгіш саласының даму векторын қайтадан белгілеп отыр.
Менің сараптамалық талдауым: Бұл жаңалық — жай техникалық хабарландыру емес, нарыққа стратегиялық сигнал. Чиптерді жаппай өндіруде көшбасшылықты азиялық алыптарға беріп қойған IBM іргелі ҒЗТКЖ-ға назар аударуды жалғастыруда. Алайда инвесторлар мен майнерлер мынаны есте сақтауы керек: зертханалық прототип пен сериялық өндіріс арасындағы алшақтық, әсіресе осындай экстремалды нормаларда, онжылдықты құрауы мүмкін. Криптоиндустрия үшін бұл алдағы 3-4 жылда 7-ангстремдік транзисторлар негізіндегі ASIC-майнерлердің энергия тұтынуында серпінді төмендеуді күтуге болмайтынын білдіреді.