IBM серпіліс жасады: 0,7 нм транзисторлар және көпқабатты наношөк архитектурасы
IBM компаниясы жартылай өткізгіш технологияларды дамытуда маңызды қадам жасап, 0,7 нм (7 ангстрем) өлшемді транзисторлардың жаңа архитектурасын жариялады. Бұл кремний чиптерінің физикасындағы қазіргі шектеулерді күмәнға алып, есептеу жүйелерінің келесі буынына жол ашады.
Негізгі инновация дәстүрлі жазық транзистор орналасуынан «наностегі» деп аталатын көпқабатты құрылымға көшуде. IBM кремний пластинасының бетінде ғана элементтерді орналастырудың орнына, оларды бірнеше тік қабаттарға жинауды ұсынады. Бұл логикалық элементтердің орналасу тығыздығын түбегейлі арттыруға мүмкіндік береді: компанияның бағалауы бойынша, тырнақтың ауданына тең жерде 100 миллиардқа дейін транзистор орналастыруға болады.
Өнімділік пен энергия тиімділігін масштабтау
IBM жаңа технологияны 2021 жылғы меншікті 2 нм процесімен салыстыра отырып, өнімділіктің 50%-ға дейін өсуі немесе энергия тиімділігінің 70%-ға дейін артуы мүмкін екенін мәлімдейді. Мұндай көрсеткіштер транзисторлар арасындағы қашықтықты қысқарту және паразиттік сыйымдылықтарды азайту арқылы қол жеткізіледі. Алайда технологияны коммерциялық енгізу бес жылдан ерте күтілмейді — бұл зертханалық прототиптен өнеркәсіптік өндіріске көшуге арналған стандартты мерзім.
Аналитикалық пікір: 0,7 нм кезекті маркетингтік белгі сияқты естілгенімен — шын мәнінде бұл қақпаның физикалық ені емес, техпроцестің шартты белгісі, — көпқабатты орналасу тәсілі заманауи микроэлектрониканың басты мәселелерінің бірін: жазықтықта элементтерді шексіз азайту мүмкін еместігін шынымен шешеді. Егер IBM наностегті масштабтауға қол жеткізсе, бұл бір күні дәстүрлі FinFET және GAAFET-ті ығыстыратын үш өлшемді архитектурасы бар чиптерге жасалған алғашқы нақты қадам болуы мүмкін. Алайда индустрия жылуды бөлу және өзара қосылыстар бойынша орасан зор міндеттерді шешуі керек — әйтпесе наностег тек әдемі теория болып қалу қаупі бар.