Крипто әлеміндегі жаңалықтар

IBM корпорациясы 0,7 нм деңгейіндегі транзистор архитектурасы бар жартылай өткізгіш чиптерді өндіруге арналған серпінді технологияны ұсынды, бұл 7 ангстремге тең. Бұл қадам микроэлектроникадағы жаңа дәуірді белгілейді, мұнда кремнийдің дәстүрлі физикалық шектеулері шегіне бастайды.

Әзірлеменің негізінде «наноқабат» (nanosheet) тұжырымдамасы жатыр: классикалық планарлы транзисторлардан айырмашылығы, элементтер бір жазықтықта емес, бірнеше тік қабаттарда орналастырылады. Мұндай тәсіл орналасу тығыздығын түбегейлі арттырады және бұрын мүмкін емес деп саналған чиптерді жасауға жол ашады.

IBM ішкі есептеулері бойынша, наноқабатты қолдану адам тырнағының көлеміндей кристалда 100 миллиардқа жуық транзисторды орналастыруға мүмкіндік береді. Салыстыру үшін: бұл жетекші фаундрилердің қазіргі 3 нм және 5 нм шешімдерінің тығыздығынан бірнеше есе артық. IBM-нің 2021 жылы ұсынылған меншікті 2 нм технологиясымен салыстырғанда, жаңа өнім өнімділікті 50%-ға арттыруды немесе энергия тиімділігін 70%-ға дейін жоғарылатуды уәде етеді.

Негізгі мәселе — коммерцияландыру мерзімдері. IBM 0,7 нм техпроцесіндегі чиптерді сериялық өндіру алдағы бес жыл ішінде басталуы мүмкін деп болжайды. Алайда, литографиялық желілерді қайта жарақтандыруға кететін орасан зор күрделі шығындарды және кванттық эффектілерді еңсеру қажеттілігін ескере отырып, мен бұл болжамды өте оптимистік деп бағалаймын. Нарыққа нақты шығу, егер EUV-литографияда қосымша технологиялық серпіліс болмаса, 7-10 жылды алуы мүмкін.

Менің сараптамалық бағам: IBM жартылай өткізгіш индустриясындағы басты инноваторлардың бірі ретіндегі мәртебесін тағы да растайды. Алайда, тарих көрсеткендей, зертханалық прототиптер мен жаппай өндіріс — бұл екі үлкен айырмашылық. TSMC мен Samsung 2 нм және 1,4 нм шекаралары үшін күресіп жатқанда, 0,7 нм жарияланымы жақын арадағы коммерциялық өнімнен гөрі ғылыми әлеуетті көрсету ретінде көрінеді. Инвесторлар мен майнерлер оқиғалардың дамуын қадағалауы керек, бірақ қорытынды жасауға асықпауы қажет.