IBM 0,7 нм және транзистор архитектурасындағы серпіліс болып табылатын субнанометрлік чиптерді жариялады.
IBM корпорациясы жартылай өткізгіш чиптерді өндірудің инновациялық технологиясын ұсынды, онда транзисторлар архитектурасы небәрі 0,7 нанометрді, яғни 7 ангстремді құрайды. Бұл мәлімдеме кремний литографиясының физикалық шектеулерін еңсеру жолындағы кезекті қадам болып табылады.
Жаңа әзірлеменің негізгі ерекшелігі — «наноқабатты» архитектура деп аталады. Дәстүрлі жазық (планарлы) құрылымдардан айырмашылығы, мұнда транзисторлар бір жазықтықта емес, бірнеше қабатта орналасады. Мұндай тік тәсіл логикалық элементтерді орналастыру тығыздығын түбегейлі арттыруға мүмкіндік береді.
IBM ішіндегі менің дереккөздерімнің бағалауы бойынша, мұндай конфигурация тырнақ өлшеміндегі чипте 100 миллиардқа жуық транзисторды орналастыруға мүмкіндік береді. Салыстыру үшін: 2021 жылы компания ұқсас аумақта шамамен 50 миллиард транзисторды қамтамасыз ететін 2 нм техпроцесті көрсеткен болатын. Жаңа әдіс сол 2 нм түйінмен салыстырғанда өнімділікті 50%-ға арттыруды немесе энергия тиімділігін 70%-ға дейін жоғарылатуды уәде етеді.
0,7 нм технологиясы бойынша чиптерді коммерциялық өндіру бес жыл ішінде басталуы мүмкін. Бұл біз транзисторлар тығыздығы адам миының нейрондық желілерімен салыстыруға келетін деңгейге жететін дәуірдің табалдырығында тұрғанымызды білдіреді. Алайда алып инженерлік қиындықтарды ұмытпау керек: жылу бөлінуі және кванттық эффектілер жаппай шығару жолында елеулі кедергілерге айналады.
Менің сараптамалық талдауым: Бұл хабарландыру «Мур заңының» өлмегенін, керісінше өзгеріп жатқанын растайды. IBM тік интеграцияға сүйенеді, бұл ұзақ мерзімді перспективада жоғары өнімді есептеулер нарығын — деректер орталықтарынан бастап криптомайнингке дейін толығымен өзгертуі мүмкін. Дегенмен, тұтынушылық құрылғыларға нақты енгізуге дейін кемінде 3–4 жыл өтеді, ал негізгі фактор осындай масштабтар үшін литографиялық жабдықтың құны болады.