IBM 0,7 нм транзисторлары бар чиптерді өндіру технологиясын жариялады: микроэлектроникадағы жаңа белес
IBM корпорациясы 0,7 нм транзистор архитектурасы бар жартылай өткізгіш чиптерді өндірудің революциялық технологиясын ұсынды, бұл 7 ангстремге тең. Бұл серпіліс дәстүрлі литографиялық әдістер өздерінің физикалық шектеріне жақындаған компоненттерді миниатюризациялау жарысындағы кезекті қадамды білдіреді.
Негізгі жаңалық наностекалар тұжырымдамасы болды: транзисторлардың классикалық планарлы орналасуынан айырмашылығы, IBM оларды бірнеше тік қабаттарға орналастыруды ұсынады. Мұндай тәсіл кристалл ауданын кеңейтпей-ақ, орналасу тығыздығын түбегейлі арттыруға мүмкіндік береді.
Өнімділікті бағалау және мерзімдер
IBM есептеулері бойынша, 0,7 нм технологиясы тырнақ өлшеміндегі чипте шамамен 100 миллиард транзисторды орналастыруға мүмкіндік береді. Алдыңғы буынмен — 2021 жылы ұсынылған 2 нм техпроцеспен салыстыру таңқаларлық: өнімділіктің өсуі 50% жетуі мүмкін, ал энергия тиімділігі 70% дейін артады. Бұл 7 ангстремдік транзисторларға негізделген болашақ процессорлар тек жылдамырақ болып қана қоймай, сонымен қатар жылу бөлінуі мен энергия тұтыну тұрғысынан айтарлықтай үнемді болады дегенді білдіреді.
Жаңа технология бойынша чиптерді коммерциялық өндіру бес жылдан ерте емес күтілуде. Енгізудің мұндай ұзақ көкжиегі зертханалық прототиптерден жаппай шығаруға көшудің күрделілігіне, оның ішінде өндірістік желілер мен жабдықтарды бейімдеу қажеттілігіне байланысты.
Аналитикалық пікір: IBM-нің бұл жетістігі бүкіл сала үшін маңызды сигнал болып табылады. Ол тіпті субнанометрлік деңгейлерде де инновациялар үшін әлеует сақталатынын, қарапайым масштабтау емес екенін көрсетеді. Алайда инвесторлар мен әзірлеушілер бес жылдық енгізу циклі оптимистік сценарий екенін ескеруі керек. Шын мәнінде, біз 0,7 нм бойынша алғашқы коммерциялық өнімдерді 2030 жылға жақын көре аламыз және бұл көшу елеулі технологиялық және экономикалық қиындықтармен байланысты болады.